劉賢哲
五邑大學(xué)副教授
應(yīng)用物理與材料學(xué)院、柔性傳感材料與器件研究開(kāi)發(fā)中心
2017/09-2021/07 華南理工大學(xué) 材料物理與化學(xué) 博士學(xué)位
2019/10-2020/10 東京工業(yè)大學(xué) 物質(zhì)理工學(xué)院 博士聯(lián)培
2014/09-2017/06 華南理工大學(xué) 材料物理與化學(xué) 碩士學(xué)位
2010/09-2014/06 南昌航空大學(xué) 金屬材料工程 學(xué)士學(xué)位
（1）新型光電材料與器件；（2）噴墨印刷柔性電子器件；（3）柔性傳感材料與器件
長(zhǎng)期致力于氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管（TFT）以及其在有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示（AMOLED）等應(yīng)用的相關(guān)研究工作，主要包括新型氧化物半導(dǎo)體材料的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)、TFT器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備、柔性和印刷電子器件制備及器件性能優(yōu)化等。以第一作者或主要作者在Applied Physics Letters、Advanced Materials Interfaces、Journal of Physics D: Applied Physics、Nanomaterials等國(guó)內(nèi)外期刊上已發(fā)表文章18余篇，申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利10項(xiàng)，授權(quán)專(zhuān)利5項(xiàng)。主持廣東省基礎(chǔ)與應(yīng)用基礎(chǔ)研究基金省市聯(lián)合基金1項(xiàng)，參與多項(xiàng)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金、廣東省重大科技專(zhuān)項(xiàng)等國(guó)家級(jí)省部級(jí)項(xiàng)目。
（1）“基于超高清顯示的抗酸型高性能氧化物薄膜晶體管研究”，廣東省基礎(chǔ)與應(yīng)用基礎(chǔ)研究基金省市聯(lián)合基金，10萬(wàn)元，在研，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人。
（2）“噴墨印刷高導(dǎo)互聯(lián)柔性氧化物TFT驅(qū)動(dòng)陣列的研究”，高層次人才科研啟動(dòng)項(xiàng)目，100萬(wàn)元，在研，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人。
[1] Liu X, et al. Implementing Room-Temperature Fabrication of Flexible Amorphous Sn-Si-O TFTs via Defect Control. Advanced Materials Interfaces, 2021, 8(9): 2002193. (工程技術(shù)類(lèi)二區(qū)，SCI因子6.147)
[2] Liu X, et al. Origin of bias-stress and illumination instability in low-cost, wide-bandgap amorphous Si-doped tin oxide-based thin-film transistors. Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 53(23): 235102. (物理三區(qū)，SCI因子3.207)
[3] Liu X, et al. Effect of Source/Drain Electrodes on the Electrical Properties of Silicon–Tin Oxide Thin-Film Transistors. Nanomaterials, 2018, 8(5): 293. (工程技術(shù)類(lèi)二區(qū)，SCI因子5.076)
[4] Liu X, et al. High-performance back-channel-etched thin-film transistors with amorphous Si-incorporated SnO2 active layer. Applied Physics Letters, 2016, 108(11): 112106. (物理二區(qū)，SCI因子3.791)
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